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Random Access Memory（ランダムアクセスメモリ、RAM、ラム）は、コンピュータで使用するメモリの一分類。随時アクセスメモリともいう。
目次 |
概説
アドレス信号によって番地情報を与えることにより任意の番地のメモリーセルに対して読み出しや書き込みといった操作が出来る記憶装置である。RAMとは異なり、磁気テープのように記憶情報が順番に格納されていて所要の番地への操作を行なうには順番待ちをしなければならない記憶装置があり、これら逐次アクセスメモリ（Sequential access memory、SAM）と呼ばれる。
RAMという言葉自体に読み書き可能という意味はないが、読み書き共にランダムアクセスが可能なものに限ってRAMと呼び、製造時や使用初期に一度書き込まれた情報は、以後は読み出しのみが可能となる読み出し専用メモリ（Read only memory、ROM、ロム）と対比されることが多い。また、半導体ROMも広義のRandom access memoryであるため、ROMと区別する意味でRWM（Read write memory）と呼ばれることもある。ROMは電源を供給しなくても記憶内容を保持する不揮発メモリ（NVM: Non Volatile Memory）であるが、RAMはほとんどが（MRAM, FeRAMなどを除き）電源の供給を絶つと記憶内容が失われる揮発メモリ（Volatile Memory）である。
コンピュータの読み書き可能な記憶装置としては、古くは水銀遅延線が使われ、その後は磁気コアを用いた磁気コアメモリが使用されていた。（水銀遅延線はSAMの分類になる。）コアメモリでは格子状に配置した磁気コアと呼ばれるリング状の磁性体に縦と横方向から電線を貫いた構造をしていた。放射線などの影響を受けにくいため、宇宙開発などで最近まで用いられていた。21世紀の現在ではコンピュータの主記憶装置のRAMはすべて半導体RAMになっている。
半導体RAMは、記憶方式、構造などにより数多くの分類がされているが、大きくはDRAM（Dynamic RAM、ディーラム）とSRAM（Static RAM、エスラム）に大別される。
DRAMとSRAM
詳細はDynamic Random Access Memory、static random access memoryをそれぞれ参照
DRAMは、記憶データをコンデンサ（キャパシタ）の電荷として蓄えているため、一定時間経つと自然放電によりデータが消えてしまう。このため情報を維持するために定期的に情報を読み出し、再度書き込みをする必要がある。この動作をリフレッシュといい、記憶を保持するのに１秒間に数十回の頻度で繰り返しリフレッシュを行う必要があることからダイナミック（＝動的）RAMと呼ばれるようになった。アドレスを指定してからデータを読み出すまでの時間はSRAMよりも若干遅いものの、記憶部の構造が単純で、容量あたりのコストが安いと言う特徴がある。DRAM のアクセス方式によって様々な種類のものが市販されている。常にリフレッシュを行っているため、SRAMに比べ消費電力が高い。
SRAM は記憶部にフリップフロップ回路を用いており、リフレッシュ動作が必要ない。原理的にDRAMより高速動作させることができるが、記憶部の回路が複雑になるため容量あたりのコストが高い。DRAMに比べ、低速動作では消費電力が低い。電気回路のかわりに記憶素子として磁性体を用いる MRAM も SRAM の一種である。
RAMの種類
半導体RAM
- SRAM (Static RAM)
- DRAM (Dynamic RAM)
- FPM DRAM (First Page Mode DRAM)
- EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)
- SDRAM (Synchronous DRAM)
- DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
- DDR2 SDRAM
- GDDR3
- DDR3 SDRAM
- RDRAM (Rambus DRAM)
- DRDRAM (Direct RDRAM)
- 擬似SRAM
- FeRAM (Ferroelectric RAM)
- MRAM (Magnetoresistive RAM)
- ReRAM (Resistive RAM)
- PRAM (Phase change RAM)
半導体以外のRAM
半導体RAM以前に使われていたRAMには次のようなものがある。
2次メモリのRAM
単にRAMといえば、暗黙のうちに半導体メモリのRAMを意味することが多い。
ハードディスクなどの2次メモリは、RAMの定義を満たしていても、通常はRAMとは呼ばれない。しかし、DVD-RAMのような例外もある。
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