PRAM

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PRAM

• 疑似SRAMの略(Pseudo SRAM, Pseudo RAM)
• Phase change RAMの略。本項目で詳述。
• 並列ランダムアクセス機械 (Parallel Random Access Machine) の略。

PRAM (Phase change RAM)は、相変化記録技術を利用した、不揮発性の半導体メモリ。

結晶相は低抵抗でアモルファス相は高抵抗である事を1ビットとして利用する。

DRAMの従来の半導体製造プロセスを使い、キャパシタ部分を相変化膜に置き換えるため、技術的に共通点が多く、既存設備を流用しやすい。

書き込みは素子への熱変化により行う。

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